مشخصات بی جی تی ترانزیستور C3998 Transistor BJT
جنس نیمه هادی
سیلیسیوم (Si)
قطبیت
NPN
حداکثر توان مصرفی (Pc)
250 W
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb)
1500 V
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce)
800 V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb)
7 V
حداکثر جریان کلکتور(Ic)
25 A
حداکثر دمای محل پیوند (Tj)
175 C
حداقل بهره جریان (Hfe)
30
قاب ترانزیستور
TO3PBL
کاربردها
TV horizontal deflection, high definition
برگرفته از سایت تکشو