مشخصات بی جی تی ترانزیستور D313 Transistor BJT
جنس نیمه هادی
سیلیسیوم (Si)
قطبیت
NPN
حداکثر توان مصرفی (Pc)
30 W
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb)
60 V
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce)
60 V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb)
5 V
حداکثر جریان کلکتور(Ic)
3 A
حداکثر دمای محل پیوند (Tj)
150 C
انتقال فرکانس (Ft)
4 MHz
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc)
150 pF
حداقل بهره جریان (Hfe)
40
قاب ترانزیستور
TO220
کاربردها
amplifier and switching applications