مشخصات بی جی تی ترانزیستور
C2383 Transistor BJT
جنس نیمه هادی
سیلیسیوم (Si)
قطبیت
NPN
حداکثر توان مصرفی (Pc)
900 mW
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb)
160 V
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce)
160 V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb)
6 V
حداکثر جریان کلکتور(Ic)
1 A
حداکثر دمای محل پیوند (Tj)
150 C
انتقال فرکانس (Ft)
100 MHz
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc)
20 pF
حداقل بهره جریان (Hfe)
60
قاب ترانزیستور
TO92
کاربردها
color TV vertical deflection, audio frequency stage