مشخصات بی جی تی ترانزیستور 2N5401 Transistor BJT
جنس نیمه هادی
سیلیسیوم (Si)
قطبیت
PNP
حداکثر توان مصرفی (Pc)
0.625 W
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb)
130 V
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce)
120 V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb)
5 V
حداکثر جریان کلکتور(Ic)
0.6 A
حداکثر دمای محل پیوند (Tj)
150 C
انتقال فرکانس (Ft)
100 MHz
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc)
6 pF
حداقل بهره جریان (Hfe)
50
قاب ترانزیستور
TO92