مشخصات بی جی تی ترانزیستور 2N5551 Transistor
BJT
جنس نیمه هادی
سیلیسیوم (Si)
قطبیت
NPN
حداکثر توان مصرفی (Pc)
0.625 W
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb)
160 V
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce)
140 V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb)
6 V
حداکثر جریان کلکتور(Ic)
0.6 A
حداکثر دمای محل پیوند (Tj)
150 C
انتقال فرکانس (Ft)
300 MHz
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc)
60 pF
حداقل بهره جریان (Hfe)
6
قاب ترانزیستور
TO92