«ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده» (Insulated Gate Bipolar Transistor) یا به اختصار IGBT ، قطعهای نیمهرسانا است که عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد.
ترانزیستور IGBT بهترین بخشهای دو ترانزیستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد.
در واقع، امپدانس ورودی بزرگ و سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT با هم ترکیب شده است و نوع دیگری ترانزیستور به نام IGBT ساخته شده که قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر را با ولتاژ گیت تقریباً صفر دارد.
FGH60N60SMD یک IGBT با جریان قابل تحمل 60 آمپر ، 600 ولت ، ساخت شرکت آن (ON) میباشد .
از جمله موارد مصرف آی جی بی تی 60N60 می توان موارد زیر اشاره نمود :
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اس UPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها