مشخصات بی جی تی ترانزیستور B817 Transistor BJT
جنس نیمه هادی
سیلیسیوم (Si)
قطبیت
PNP
حداکثر توان مصرفی (Pc)
100 W
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb)
160 V
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce)
140 V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb)
6 V
حداکثر جریان کلکتور(Ic)
12 A
حداکثر دمای محل پیوند (Tj)
150 C
انتقال فرکانس (Ft)
15 MHz
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc)
210 pF
حداقل بهره جریان (Hfe)
60
قاب ترانزیستور
TO3PB
کاربردها
power transistor