مشخصات بی جی تی ترانزیستور BD139 Transistor BJT
جنس نیمه هادی
سیلیسیوم (Si)
قطبیت
NPN
حداکثر توان مصرفی (Pc)
12.5 W
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb)
80 V
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce)
80 V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb)
5 V
حداکثر جریان کلکتور(Ic)
1.5 A
حداکثر دمای محل پیوند (Tj)
150 C
انتقال فرکانس (Ft)
50 MHz
حداقل بهره جریان (Hfe)
40
قاب ترانزیستور
SOT32
کاربردها
General Purpose