مشخصات ترانزیستور ماسفت 50N06 MOSFET Transistor
قطبیت
N-Channel
حداکثر توان مصرفی (Pd)
120 W
حداکثرولتاژ درین-سورس (Vds)
60 V
حداکثر ولتاژ گیت-سورس (Vgs)
20 V
حداکثر جریان درین (Id)
50 A
جریان اشباع درین-سورس (Idss)
0.01 mA
حداکثر دمای محل پیوند (Tj)
150 C
زمان صعود (tr)
100 nS
ظرفیت خازنی ورودی سیگنال-کوچک (Ciss)
900 pF
مقاومت درین-سورس (Rds)
0.018 Ohm
قاب ترانزیستور
TO220
کاربردها
Electronic Ballast , Low Power Switching