مشخصات بی جی تی ترانزیستور 2N3906 Transistor BJT
جنس نیمه هادی
سیلیسیوم (Si)
قطبیت
PNP
حداکثر توان مصرفی (Pc)
0.5 W
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb)
40 V
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce)
40 V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb)
6 V
حداکثر جریان کلکتور(Ic)
0.2 mA
حداکثر دمای محل پیوند (Tj)
150 C
انتقال فرکانس (Ft)
250 MHz
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc)
4.5 pF
حداقل بهره جریان (Hfe)
60
قاب ترانزیستور
TO92
کاربردها
High-Speed Switching in Industrial Applications