مشخصات بی جی تی ترانزیستور C2655 Transistor BJT
جنس نیمه هادی
سیلیسیوم (Si)
قطبیت
NPN
حداکثر توان مصرفی (Pc)
900 mW
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb)
50 V
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce)
50 V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb)
5 V
حداکثر جریان کلکتور(Ic)
2 A
حداکثر دمای محل پیوند (Tj)
150 C
انتقال فرکانس (Ft)
100 MHz
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc)
30 pF
حداقل بهره جریان (Hfe)
40
قاب ترانزیستور
TO92
کاربردها
audio frequency stage, switch