مشخصات بی جی تی ترانزیستور A1013 Transistor BJT
جنس نیمه هادی
سیلیسیوم (Si)
قطبیت
PNP
حداکثر توان مصرفی (Pc)
0.9 W
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb)
160 V
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce)
160 V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb)
6 V
حداکثر جریان کلکتور(Ic)
1 A
حداکثر دمای محل پیوند (Tj)
125 C
انتقال فرکانس (Ft)
15 MHz
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc)
35 pF
حداقل بهره جریان (Hfe)
60
قاب ترانزیستور
TO92
کاربردها
color TV audio frequency and vertical deflection