مشخصات بی جی تی ترانزیستور A683 Transistor BJT
جنس نیمه هادی
سیلیسیوم (Si)
قطبیت
PNP
حداکثر توان مصرفی (Pc)
0.75 W
حداکثر ولتاژ کلکتور-بیس (Vcb)
30 V
حداکثر ولتاژ کلکتور-امیتر (Vce)
25 V
حداکثر ولتاژ امیتر-بیس (Veb)
6 V
حداکثر جریان کلکتور(Ic)
1.5 A
حداکثر دمای محل پیوند (Tj)
125 C
انتقال فرکانس (Ft)
100 MHz
ظرفیت خازنی کلکتور (Cc)
30 pF
حداقل بهره جریان (Hfe)
60
قاب ترانزیستور
TO92
برگرفته از تکشو